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电子及电机工程
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Mustafaev G.A., Mustafaev A.G.
电离辐射和热电子对MOSFET结构的影响
// 电子及电机工程.
2019. № 1.
С. 1-5.
DOI: 10.7256/2453-8884.2019.1.30371 URL: https://cn.nbpublish.com/library_read_article.php?id=30371
电离辐射和热电子对MOSFET结构的影响
DOI: 10.7256/2453-8884.2019.1.30371评审日期 22-07-2019出版日期 29-07-2019注解: 研究了在热电子和电离辐射的影响下，皮下氧化物氮化的金属氧化物半导体Mosfet的降解。 研究了导致MOS结构退化和氮化影响不同的两个因素。 获得了在不同温度和渗氮持续时间和不渗氮的情况下对具有热渗氮的MOSFET结构进行电离辐照的结果。 结果表明，氮化操作的温度和持续时间降低了电压变化的幅度。 观察到的电压变化可能是电子阱效应增加的结果，或空穴阱效应降低的结果。 辐射照射和热电子影响下器件特性的退化显着取决于热氮化的温度和持续时间。 辐射暴露的危险随着氮化程度的增加而不断降低，在热电子作用下降解的危险随着氮化程度的增加而降低，但随着氮化程度的进一步增加也增加。 出版日期: 半导体器件, 半导体器件, 超大规模集成电路技术, 超大规模集成电路技术, 拖把, 拖把, 氮化;氮化, 氮化;氮化, 二氧化硅, 二氧化硅, 热处理, 热处理, 降解, 降解, 热电子, 热电子, 抗辐射性, 抗辐射性, 氧化硅, 氧化硅 |
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